Сканирующий электронный микроскоп Tescan Vega II

Сканирующий электронный микроскоп  Tescan Vega II

Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) TESCAN VEGA II SBU, производитель Tescan, Чехия, 2010 г. Прибор предназначен для получения изображения поверхности объекта с высоким пространственным разрешением, а также информации о составе, строении и других свойствах поверхности.

Характеристики прибора: источник электронов вольфрамовый катод с термоэлектронной эмиссией; разрешение в режиме высокого вакуума (SE) 3,0 нм при 30 кВ, в режиме переменного вакуума (BSE)    3,5 нм при 30 кВ; увеличение непрерывное от 4× до 1 000 000×; ускоряющее напряжение от 200 В до 30 кВ ( с шагом 10В); ток пучка электронов от 1 пА до 2 мкА; детекторы вторичных электронов (SE), отраженных электронов (BSE); энергодисперсионный INCA Energy.

Метод Сканирующей Электронной Микроскопии (СЭМ): сканирование исследуемого образца электронным лучом, измерение интенсивности испускаемых квантов и преобразование измеренной интенсивности в электрический сигнал.

Сканирующий электронный микроскоп отображает исследуемый объект за счет тонкого сфокусированного электронного пучка (зонда), который формируется и осуществляет сканирование при помощи колонны микроскопа.

Тонкий электронный зонд направляется на анализируемый образец, в результате взаимодействия возникают низкоэнергетичные вторичные электроны, которые отбираются детектором вторичных электронов. Каждый акт столкновения сопровождается появлением электрического сигнала на выходе детектора. Интенсивность электрического сигнала зависит как от природы образца (в меньшей степени), так и от топографии (в большей степени) образца в области взаимодействия. Таким образом, сканируя электронным пучком поверхность объекта, можно получить карту рельефа проанализированной зоны. При взаимодействии зонда с объектом возникают несколько видов излучений, каждое из которых может быть преобразовано в электрический сигнал. В зависимости от механизма регистрирования сигнала различают несколько режимов работы сканирующего электронного микроскопа: режим вторичных электронов, режим отражённых электронов, и др.

Метод Энергодисперсионного анализа (ЭДА). Характеристическое рентгеновское излучение генерируется в случае, когда электронный луч выбивает электроны с внутренних оболочек элементов образца, заставляя электрон с более высокого энергетического уровня перейти на нижний уровень энергии с одновременным испусканием кванта рентгеновского излучения. Детектирование спектра характеристического рентгеновского излучения позволяет идентифицировать состав и измерить количество элементов в образце.

Требования к образцам:

         размеры:                    - высота не более 30 мм;

                                             - ширина не более 50 мм;

         поверхность:             - чистая;

         форма:                        - любая (балочки, цилиндры, проволоки, гранулы).